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| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | SMini3-G1 |
| Séries: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms): | - |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 47k |
| Puissance - Max: | 150mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SC-70, SOT-323 |
| Autres noms: | UN5210-(TX) UN5210-TX UN5210TR UN5210TR-ND UNR521000LTR |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | UNR521000L |
| Fréquence - Transition: | 150MHz |
| Description élargie: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1 |
| La description: | TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 160 @ 5mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |