UMH8NTR
Modèle de produit:
UMH8NTR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
17468 Pieces
Fiche technique:
UMH8NTR.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:UMT6
Séries:-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):-
Resistor - Base (R1) (Ohms):10k
Puissance - Max:150mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:UMH8NTR
Fréquence - Transition:250MHz
Description élargie:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
La description:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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