UMF5NTR
UMF5NTR
Modèle de produit:
UMF5NTR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12430 Pieces
Fiche technique:
UMF5NTR.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Transistor Type:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Package composant fournisseur:UMT6
Séries:-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):47k
Resistor - Base (R1) (Ohms):47k
Puissance - Max:150mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:UMF5NTR
Fréquence - Transition:250MHz, 260MHz
Description élargie:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount UMT6
La description:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA, 500mA
Email:[email protected]

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