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Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
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Package composant fournisseur: | Module |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 34 mOhm @ 30A, 8V |
Puissance - Max: | 470W |
Emballage: | Bulk |
Package / Boîte: | Module |
Autres noms: | TPH3215M TPH3215M-ND |
Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 14 Weeks |
Référence fabricant: | TPD3215M |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2260pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 8V |
type de FET: | GaNFET N-Channel, Gallium Nitride |
Fonction FET: | Standard |
Description élargie: | Mosfet Array GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module |
Tension drain-source (Vdss): | 600V |
La description: | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 70A (Tc) |
Email: | [email protected] |