Acheter TP2104N3-G avec BYCHPS
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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-92-3 |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 740mW (Ta) |
Emballage: | Bulk |
Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 19 Weeks |
Référence fabricant: | TP2104N3-G |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 60pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | P-Channel 40V 175mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 40V |
La description: | MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 175mA (Tj) |
Email: | [email protected] |