STU2NK100Z
STU2NK100Z
Modèle de produit:
STU2NK100Z
Fabricant:
ST
La description:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18426 Pieces
Fiche technique:
STU2NK100Z.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:I-Pak
Séries:SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Dissipation de puissance (max):70W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms:497-12694-5
STU2NK100Z-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Référence fabricant:STU2NK100Z
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:499pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 1000V (1kV) 1.85A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-Pak
Tension drain-source (Vdss):1000V (1kV)
La description:MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.85A (Tc)
Email:[email protected]

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