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STS4DNF60
STS4DNF60
Modèle de produit:
STS4DNF60
Fabricant:
ST
La description:
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18287 Pieces
Fiche technique:
STS4DNF60.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 2A, 10V
Puissance - Max:2W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:497-8041-2
STS4DNF60-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:STS4DNF60
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:315pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Description élargie:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4A 2W Surface Mount 8-SO
Tension drain-source (Vdss):60V
La description:MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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