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Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | 8-SO |
Séries: | DeepGATE™, STripFET™ VI |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.7 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 2.7W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Autres noms: | 497-10580-2 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | STS20N3LLH6 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1690pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 30V 20A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Tension drain-source (Vdss): | 30V |
La description: | MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |