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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > STP200NF04
STP200NF04
STP200NF04
Modèle de produit:
STP200NF04
Fabricant:
ST
La description:
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
13404 Pieces
Fiche technique:
STP200NF04.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.7 mOhm @ 90A, 10V
Dissipation de puissance (max):310W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:497-3524-5
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:18 Weeks
Référence fabricant:STP200NF04
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:210nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 40V 120A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):40V
La description:MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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