STL9P2UH7
STL9P2UH7
Modèle de produit:
STL9P2UH7
Fabricant:
ST
La description:
MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12053 Pieces
Fiche technique:
STL9P2UH7.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerFlat™ (3.3x3.3)
Séries:STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):2.9W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:497-15147-2
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:18 Weeks
Référence fabricant:STL9P2UH7
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2390pF @ 16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 20V 9A (Tc) 2.9W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
La description:MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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