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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PowerFlat™ (2x2) |
Séries: | DeepGATE™, STripFET™ H6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 56 mOhm @ 2A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 2.4W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | 6-PowerWDFN |
Autres noms: | 497-15510-2 |
Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
Référence fabricant: | STL4P3LLH6 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 639pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | P-Channel 30V 4A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount PowerFlat™ (2x2) |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 30V |
La description: | MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4A (Ta) |
Email: | [email protected] |