Acheter STGD5NB120SZ-1 avec BYCHPS
Acheter avec garantie
STGD5NB120SZ-1
- Modèle de produit:
- STGD5NB120SZ-1
- Fabricant:
- ST
- La description:
- IGBT 1200V 10A 75W IPAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14693 Pieces
- Fiche technique:
- STGD5NB120SZ-1.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour STGD5NB120SZ-1, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour STGD5NB120SZ-1 par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2V @ 15V, 5A |
| Condition de test: | 960V, 5A, 1 kOhm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 690ns/12.1µs |
| énergie de commutation: | 2.59mJ (on), 9mJ (off) |
| Package composant fournisseur: | I-Pak |
| Séries: | PowerMESH™ |
| Puissance - Max: | 75W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms: | 497-16445 STGD5NB120SZ-1-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 26 Weeks |
| Référence fabricant: | STGD5NB120SZ-1 |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | - |
| Description élargie: | IGBT 1200V 10A 75W Through Hole I-Pak |
| La description: | IGBT 1200V 10A 75W IPAK |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 10A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes STGD5NB120SZ-1
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
STGD5NB120SZT4 | STMicroelectronics | IGBT 1200V 10A 75W DPAK | Enquête |
 |
SGR20N40LTM | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 400V 45W DPAK | Enquête |
 |
IRGI4062DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 22A 48W TO220AB | Enquête |
 |
IRG4BC15UD-LPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 49W TO262 | Enquête |
 |
IXXH100N60B3 | IXYS | IGBT 600V 220A 830W TO247AD | Enquête |
 |
STGD5H60DF | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S | Enquête |
 |
IXYH40N65C3H1 | IXYS | IGBT 650V 80A 300W TO247 | Enquête |
 |
FGB20N6S2D | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 28A 125W TO263AB | Enquête |
 |
IXGT30N60C2 | IXYS | IGBT 600V 70A 190W TO268 | Enquête |
 |
IXYP20N120C3 | IXYS | IGBT 1200V 40A 278W TO-220 | Enquête |
 |
IXGQ96N30TBD1 | IXYS | IGBT 320V 96A TO3P | Enquête |
 |
STGWT60H65FB | STMicroelectronics | IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L | Enquête |
|
IXGH25N100AU1 | IXYS | IGBT 1000V 50A 200W TO247AD | Enquête |
|
STGWT38IH130D | STMicroelectronics | IGBT 1300V 63A 250W TO3P | Enquête |
Latest Nouvelles
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog