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Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±25V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Séries: | MDmesh™ M2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 25W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | 3-SIP |
Autres noms: | 497-16594-5 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
Référence fabricant: | STFH13N60M2 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 5800pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 600V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 600V |
La description: | N-CHANNEL 600 V, 0.35 OHM TYP., |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 11A (Tc) |
Email: | [email protected] |