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STD155N3H6
- Modèle de produit:
- STD155N3H6
- Fabricant:
- ST
- La description:
- MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14065 Pieces
- Fiche technique:
- STD155N3H6.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | DPAK |
| Séries: | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3 mOhm @ 40A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 110W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | 497-11307-2 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | STD155N3H6 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3650pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 62nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | MOSFET N-CH 30V 80A DPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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