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SSM3J16CT(TPL3)
- Modèle de produit:
- SSM3J16CT(TPL3)
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor
- La description:
- MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12380 Pieces
- Fiche technique:
- SSM3J16CT(TPL3).pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±10V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | CST3 |
| Séries: | π-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Dissipation de puissance (max): | 100mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SC-101, SOT-883 |
| Autres noms: | SSM3J16CT(TPL3)TR SSM3J16CTTPL3 |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | SSM3J16CT(TPL3) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 11pF @ 3V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.5V, 4V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| La description: | MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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