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SQM200N04-1M1L_GE3
- Modèle de produit:
- SQM200N04-1M1L_GE3
- Fabricant:
- Vishay / Siliconix
- La description:
- MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19219 Pieces
- Fiche technique:
- SQM200N04-1M1L_GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-263-7 |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.1 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 375W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Autres noms: | SQM200N04-1M1L-GE3 SQM200N04-1M1L-GE3-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Référence fabricant: | SQM200N04-1M1L_GE3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 20655pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 413nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 40V 200A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7 |
| Tension drain-source (Vdss): | 40V |
| La description: | MOSFET N-CH 40V 200A TO-263 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 200A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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