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SQM120P04-04L_GE3
- Modèle de produit:
- SQM120P04-04L_GE3
- Fabricant:
- Vishay / Siliconix
- La description:
- MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 18633 Pieces
- Fiche technique:
- SQM120P04-04L_GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-263 (D2Pak) |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 375W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | SQM120P04-04L-GE3 SQM120P04-04L-GE3-ND SQM120P04-04L_GE3-ND SQM120P04-04L_GE3TR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Référence fabricant: | SQM120P04-04L_GE3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 13980pF @ 20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 330nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 40V |
| La description: | MOSFET P-CH 40V 120A TO-263 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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