SQJ570EP-T1_GE3
Modèle de produit:
SQJ570EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay / Siliconix
La description:
MOSFET ARRAY N/P-CH 100V SO8
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12174 Pieces
Fiche technique:
SQJ570EP-T1_GE3.pdf

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Package composant fournisseur:PowerPAK® SO-8 Dual
Séries:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V
Puissance - Max:27W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:PowerPAK® SO-8 Dual
Autres noms:SQJ570EP-T1_GE3TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:13 Weeks
Référence fabricant:SQJ570EP-T1_GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V, 15nC @ 10V
type de FET:N and P-Channel
Fonction FET:Standard
Description élargie:Mosfet Array N and P-Channel 100V 15A (Tc), 9.5A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET ARRAY N/P-CH 100V SO8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:15A (Tc), 9.5A (Tc)
Email:[email protected]

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