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SQD97N06-6M3L_GE3
- Modèle de produit:
- SQD97N06-6M3L_GE3
- Fabricant:
- Vishay / Siliconix
- La description:
- MOSFET N-CH 60V 50A TO252
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14557 Pieces
- Fiche technique:
- SQD97N06-6M3L_GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-252 |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.3 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 136W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | SQD97N06-6M3L-GE3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Référence fabricant: | SQD97N06-6M3L_GE3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 6060pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 125nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 60V 97A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| La description: | MOSFET N-CH 60V 50A TO252 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 97A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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