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Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 44µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-TO220-3-1 |
Séries: | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 80 mOhm @ 15A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 90W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-220-3 |
Autres noms: | SP000013842 SPP21N10IN SPP21N10X SPP21N10XTIN SPP21N10XTIN-ND |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | SPP21N10 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 865pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 38.4nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 100V 21A (Tc) 90W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Tension drain-source (Vdss): | 100V |
La description: | MOSFET N-CH 100V 21A TO-220AB |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 21A (Tc) |
Email: | [email protected] |