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SPP12N50C3HKSA1
- Modèle de produit:
- SPP12N50C3HKSA1
- La description:
- MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12368 Pieces
- Fiche technique:
- SPP12N50C3HKSA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 500µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO220-3-1 |
| Séries: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 125W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Autres noms: | SP000014459 SPP12N50C3 SPP12N50C3IN SPP12N50C3IN-ND SPP12N50C3X SPP12N50C3XK SPP12N50C3XTIN SPP12N50C3XTIN-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | SPP12N50C3HKSA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 560V 11.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Tension drain-source (Vdss): | 560V |
| La description: | MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 11.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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