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SPP02N60C3HKSA1
- Modèle de produit:
- SPP02N60C3HKSA1
- La description:
- MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14992 Pieces
- Fiche technique:
- SPP02N60C3HKSA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 80µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO220-3-1 |
| Séries: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 25W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Autres noms: | SP000013523 SPP02N60C3 SPP02N60C3IN SPP02N60C3IN-ND SPP02N60C3X SPP02N60C3XK SPP02N60C3XTIN SPP02N60C3XTIN-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | SPP02N60C3HKSA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.5nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 650V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| La description: | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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