SPI80N06S2-07
SPI80N06S2-07
Modèle de produit:
SPI80N06S2-07
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
17175 Pieces
Fiche technique:
SPI80N06S2-07.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 180µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO262-3-1
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.6 mOhm @ 68A, 10V
Dissipation de puissance (max):250W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms:SP000013784
SPI80N06S207
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:SPI80N06S2-07
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4540pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 55V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Tension drain-source (Vdss):55V
La description:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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