SPI100N03S2-03
SPI100N03S2-03
Modèle de produit:
SPI100N03S2-03
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18727 Pieces
Fiche technique:
SPI100N03S2-03.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO262-3-1
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.3 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max):300W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms:SP000013492
SPI100N03S203X
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:SPI100N03S2-03
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7020pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 30V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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