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Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-TO262-3-1 |
Séries: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.3 mOhm @ 80A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 300W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Autres noms: | SP000013492 SPI100N03S203X |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | SPI100N03S2-03 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 7020pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 30V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
Tension drain-source (Vdss): | 30V |
La description: | MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |