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Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-TO252-3 |
Séries: | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 44 mOhm @ 26.4A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 150W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms: | SP000013853 SPD35N10INTR SPD35N10XT SPD35N10XTINTR SPD35N10XTINTR-ND |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | SPD35N10 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1570pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 65nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 100V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Tension drain-source (Vdss): | 100V |
La description: | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |