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SPD18P06P G
- Modèle de produit:
- SPD18P06P G
- La description:
- MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 17787 Pieces
- Fiche technique:
- SPD18P06P G.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO252-3 |
| Séries: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 80W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | SP000443926 SPD18P06P G-ND SPD18P06PG SPD18P06PGBTMA1 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | SPD18P06P G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 860pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 33nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 60V 18.6A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| La description: | MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 18.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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