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SPD07N20GBTMA1
- Modèle de produit:
- SPD07N20GBTMA1
- La description:
- MOSFET N-CH 200V 7A TO252
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16421 Pieces
- Fiche technique:
- SPD07N20GBTMA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO252-3 |
| Séries: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 40W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | SP000449008 SPD07N20 G SPD07N20 G-ND SPD07N20 GTR-ND SPD07N20G |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | SPD07N20GBTMA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 530pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 31.5nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 200V 7A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tension drain-source (Vdss): | 200V |
| La description: | MOSFET N-CH 200V 7A TO252 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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