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Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-TO252-3 |
Séries: | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 900 mOhm @ 3.8A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 83W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms: | SP000077606 SP000318350 SPD06N80C3 SPD06N80C3INTR SPD06N80C3INTR-ND SPD06N80C3T SPD06N80C3XT SPD06N80C3XTINTR SPD06N80C3XTINTR-ND |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | SPD06N80C3BTMA1 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 785pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 800V 6A (Ta) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Tension drain-source (Vdss): | 800V |
La description: | MOSFET N-CH 800V 6A DPAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 6A (Ta) |
Email: | [email protected] |