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SPB03N60C3ATMA1
- Modèle de produit:
- SPB03N60C3ATMA1
- La description:
- MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 18275 Pieces
- Fiche technique:
- SPB03N60C3ATMA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 135µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO263-3-2 |
| Séries: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 38W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | SP000013517 SPB03N60C3 SPB03N60C3INTR SPB03N60C3INTR-ND SPB03N60C3XT SPB03N60C3XTINTR SPB03N60C3XTINTR-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | SPB03N60C3ATMA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 400pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 650V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| La description: | MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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