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Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 80µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-TO263-3-2 |
Séries: | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 25W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms: | SP000013516 SPB02N60C3 SPB02N60C3INTR SPB02N60C3INTR-ND SPB02N60C3XT SPB02N60C3XT-ND |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | SPB02N60C3ATMA1 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.5nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 650V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
Tension drain-source (Vdss): | 650V |
La description: | MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |