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SIR644DP-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SIR644DP-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay / Siliconix
- La description:
- MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14391 Pieces
- Fiche technique:
- 1.SIR644DP-T1-GE3.pdf2.SIR644DP-T1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | - |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PowerPAK® SO-8 |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.7 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | PowerPAK® SO-8 |
| Autres noms: | SIR644DP-T1-GE3TR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 24 Weeks |
| Référence fabricant: | SIR644DP-T1-GE3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3200pF @ 20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 71nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 40V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 40V |
| La description: | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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