SI7447ADP-T1-GE3
SI7447ADP-T1-GE3
Modèle de produit:
SI7447ADP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay / Siliconix
La description:
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16460 Pieces
Fiche technique:
SI7447ADP-T1-GE3.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerPAK® 1212-8
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.5 mOhm @ 24A, 10V
Dissipation de puissance (max):5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:PowerPAK® 1212-8
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:SI7447ADP-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4650pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 30V 35A (Tc) 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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