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SI5975DC-T1-E3
- Modèle de produit:
- SI5975DC-T1-E3
- Fabricant:
- Vishay / Siliconix
- La description:
- MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14341 Pieces
- Fiche technique:
- SI5975DC-T1-E3.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 450mV @ 1mA (Min) |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | 1206-8 ChipFET™ |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 1.1W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SMD, Flat Lead |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | SI5975DC-T1-E3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 9nC @ 4.5V |
| type de FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Description élargie: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 3.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Tension drain-source (Vdss): | 12V |
| La description: | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.1A |
| Email: | [email protected] |
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