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SI5475DC-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI5475DC-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay / Siliconix
- La description:
- MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12485 Pieces
- Fiche technique:
- SI5475DC-T1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 450mV @ 1mA (Min) |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 1206-8 ChipFET™ |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 31 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.3W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SMD, Flat Lead |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | SI5475DC-T1-GE3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 29nC @ 4.5V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 12V 5.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Tension drain-source (Vdss): | 12V |
| La description: | MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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