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SG2003J
- Modèle de produit:
- SG2003J
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16649 Pieces
- Fiche technique:
- SG2003J.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Transistor Type: | 7 NPN Darlington |
| Package composant fournisseur: | 16-CDIP |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | - |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | 16-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| Autres noms: | 1259-1080 1259-1080-MIL 1259-1080-ND |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | SG2003J |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP |
| La description: | TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 350mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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