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SCT3120ALGC11
- Modèle de produit:
- SCT3120ALGC11
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- MOSFET NCH 650V 21A TO247N
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16383 Pieces
- Fiche technique:
- SCT3120ALGC11.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.6V @ 3.33mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +22V, -4V |
| La technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Package composant fournisseur: | TO-247N |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 156 mOhm @ 6.7A, 18V |
| Dissipation de puissance (max): | 103W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement: | 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Référence fabricant: | SCT3120ALGC11 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 460pF @ 500V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 18V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 650V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 18V |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| La description: | MOSFET NCH 650V 21A TO247N |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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