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RUU002N05T106
- Modèle de produit:
- RUU002N05T106
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12731 Pieces
- Fiche technique:
- RUU002N05T106.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | UMT3 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 200mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SC-70, SOT-323 |
| Autres noms: | RUU002N05T106-ND RUU002N05T106TR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | RUU002N05T106 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 25pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.2V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 50V |
| La description: | MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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