RSS070P05FU6TB
RSS070P05FU6TB
Modèle de produit:
RSS070P05FU6TB
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 45V 7A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16489 Pieces
Fiche technique:
RSS070P05FU6TB.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-SOP
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:27 mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (max):2W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:RSS070P05FU6TBTR
Température de fonctionnement:-
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:RSS070P05FU6TB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4100pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:47.6nC @ 5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 45V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4V, 10V
Tension drain-source (Vdss):45V
La description:MOSFET P-CH 45V 7A 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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