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RS3E135BNGZETB
- Modèle de produit:
- RS3E135BNGZETB
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- NCH 30V 13.5A MIDDLE POWER MOSFE
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 13032 Pieces
- Fiche technique:
- RS3E135BNGZETB.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-SOP |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 14.6 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | RS3E135BNGZETBTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | RS3E135BNGZETB |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 680pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 16.3nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 30V 9.5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | NCH 30V 13.5A MIDDLE POWER MOSFE |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 9.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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