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RS1E320GNTB
- Modèle de produit:
- RS1E320GNTB
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 13041 Pieces
- Fiche technique:
- RS1E320GNTB.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-HSOP |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.9 mOhm @ 32A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 3W (Ta), 34.6W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerTDFN |
| Autres noms: | RS1E320GNTBTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | RS1E320GNTB |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2850pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 42.8nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 30V 32A (Ta) 3W (Ta), 34.6W (Tc) Surface Mount 8-HSOP |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 32A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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