RQ6E035ATTCR
RQ6E035ATTCR
Modèle de produit:
RQ6E035ATTCR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18828 Pieces
Fiche technique:
RQ6E035ATTCR.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TSMT6 (SC-95)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):1.25W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms:RQ6E035ATTCRTR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:RQ6E035ATTCR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:475pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 30V 3.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.5A (Ta)
Email:[email protected]

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