RQ6C065BCTCR
RQ6C065BCTCR
Modèle de produit:
RQ6C065BCTCR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
17305 Pieces
Fiche technique:
RQ6C065BCTCR.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:1.2V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TSMT6 (SC-95)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:21 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):1.25W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-95-6
Autres noms:RQ6C065BCTCRTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:RQ6C065BCTCR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1520pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 20V 6.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
La description:PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6.5A (Tc)
Email:[email protected]

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