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RLS4150TE-11
- Modèle de produit:
- RLS4150TE-11
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA LLDS
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16240 Pieces
- Fiche technique:
- RLS4150TE-11.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1V @ 200mA |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 50V |
| Package composant fournisseur: | LLDS |
| La vitesse: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 4ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| Autres noms: | RLS4150TE-11TR RLS4150TE11 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -65°C ~ 200°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | RLS4150TE-11 |
| Description élargie: | Diode Standard 50V 200mA Surface Mount LLDS |
| Type de diode: | Standard |
| La description: | DIODE GEN PURP 50V 200MA LLDS |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 100nA @ 50V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 200mA |
| Capacité à Vr, F: | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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