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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | CPT3 |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 4A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 20W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms: | RK3055ETL-ND RK3055ETLTR |
Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | RK3055ETL |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 520pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 60V 8A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
Tension drain-source (Vdss): | 60V |
La description: | MOSFET N-CH 60V 8A DPAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 8A (Ta) |
Email: | [email protected] |