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RFN1L6STE25
- Modèle de produit:
- RFN1L6STE25
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15492 Pieces
- Fiche technique:
- RFN1L6STE25.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.45V @ 800mA |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 600V |
| Package composant fournisseur: | PMDS |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 35ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | DO-214AC, SMA |
| Autres noms: | RFN1L6STE25TR |
| Température d'utilisation - Jonction: | 150°C (Max) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Référence fabricant: | RFN1L6STE25 |
| Description élargie: | Diode Standard 600V 800mA Surface Mount PMDS |
| Type de diode: | Standard |
| La description: | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1µA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 800mA |
| Capacité à Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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