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RFD12N06RLESM9A
- Modèle de produit:
- RFD12N06RLESM9A
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16231 Pieces
- Fiche technique:
- RFD12N06RLESM9A.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-252AA |
| Séries: | UltraFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 63 mOhm @ 18A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 49W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | RFD12N06RLESM9A-ND RFD12N06RLESM9ATR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 6 Weeks |
| Référence fabricant: | RFD12N06RLESM9A |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 485pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 60V 18A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| La description: | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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