RCD100N20TL
RCD100N20TL
Modèle de produit:
RCD100N20TL
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18654 Pieces
Fiche technique:
RCD100N20TL.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5.25V @ 1mA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:CPT3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:182 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max):850mW (Ta), 20W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:17 Weeks
Référence fabricant:RCD100N20TL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 200V 10A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Tension drain-source (Vdss):200V
La description:MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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