R6030ENZC8
R6030ENZC8
Modèle de produit:
R6030ENZC8
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
13185 Pieces
Fiche technique:
R6030ENZC8.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-3PF
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:130 mOhm @ 14.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):120W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3 Full Pack
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:17 Weeks
Référence fabricant:R6030ENZC8
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
La description:MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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