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QS8M12TCR
- Modèle de produit:
- QS8M12TCR
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19977 Pieces
- Fiche technique:
- QS8M12TCR.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | TSMT8 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 42 mOhm @ 4A, 10V |
| Puissance - Max: | 1.5W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SMD, Flat Lead |
| Autres noms: | QS8M12TCRTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | QS8M12TCR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.4nC @ 5V |
| type de FET: | N and P-Channel |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Description élargie: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8 |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4A |
| Email: | [email protected] |
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