Acheter QS8J12TCR avec BYCHPS
Acheter avec garantie
QS8J12TCR
- Modèle de produit:
- QS8J12TCR
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19309 Pieces
- Fiche technique:
- QS8J12TCR.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour QS8J12TCR, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour QS8J12TCR par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | TSMT8 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 550mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SMD, Flat Lead |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | QS8J12TCR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 6V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 4.5V |
| type de FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Description élargie: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 550mW Surface Mount TSMT8 |
| Tension drain-source (Vdss): | 12V |
| La description: | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4.5A |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes QS8J12TCR
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
QS8J11TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8 | Enquête |
 |
APTM100DSK35T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | Enquête |
|
QS8J13TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8 | Enquête |
 |
SIRB40DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 40A SO8 | Enquête |
 |
DMN3032LFDBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020 | Enquête |
 |
BSO612CV | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC | Enquête |
 |
SLA5037 | Sanken | MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP | Enquête |
 |
SSM6N48FU,RF(D | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A | Enquête |
 |
AO4807L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC | Enquête |
|
QS8J1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 | Enquête |
Latest Nouvelles
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog